2
Il existe deux principaux types de transistors: ceux qui sont dits bipolaires et les autres qui sont à effet de champ. Ils sont divisés en deux sous-groupes correspondant aux structures NPN et PNP. Un transistor NPN à une base constituée d'un matériau semi-conducteur positif (type P) ainsi qu'un collecteur et un émetteur constitués d'un matériau semi-conducteur négatif (type N). Sur un diagramme de circuit, l'émetteur d'un transistor NPN est représenté avec une flèche qui pointe vers l'extérieur. Un transistor PNP à une base constitué d'un matériau semi-conducteur de type N ainsi qu'un collecteur et un émetteur constitués d'un matériau semi-conducteur de type P. Sur un diagramme de circuit, l'émetteur d'un transistor PNP est représenté avec une flèche qui pointe vers l'intérieur. 1 Branchez les sondes sur le multimètre. La prise mâle de la sonde noire s'insère dans la borne commune tandis que la prise mâle de la borne rouge s'insère dans la borne qui sert à tester les diodes. 2 Tournez le grand bouton rond de sélection pour activer la fonction de test de diode.
Transistor Npn De Puissance De
Si vous n'obtenez jamais deux fois le même chiffre élevé pour la résistance en touchant successivement les deux électrodes libres, après avoir connecté la sonde noire sur chaque électrode, c'est que vous avez un transistor PNP ou un transistor NPN qui est défectueux. 3 Déconnectez la sonde noire et connectez la sonde rouge à l'une des électrodes. 4
Touchez avec la sonde noire les deux autres électrodes, l'une après l'autre. Si vous lisez un même nombre élevé pour la résistance lorsque vous touchez chacune des deux électrodes, vous avez trouvé la base d'un transistor PNP qui fonctionne bien. Si vous lisez deux nombres différents pour les deux électrodes, connectez la sonde rouge sur une autre électrode et recommencez le test. Si vous n'obtenez jamais deux fois le même chiffre élevé pour la résistance en touchant successivement les deux électrodes libres, après avoir connecté la sonde rouge sur chaque électrode, c'est que vous avez un transistor PNP défectueux. Conseils
Vous pouvez aussi tester un transistor dans un circuit en utilisant une source de courant de 6 volts et deux petites ampoules électriques, ou bien en connectant un multimètre à l'émetteur et au collecteur avant de créer un court-circuit entre le collecteur et la base.
Transistor Npn De Puissance De La
Transistor NPN fonctionnant: Maintenant, comme le côté n d'un diode a des électrons comme majorité et le côté p a des trous comme majorité, toutes les connexions de tension sont disposées en polarisation directe et inverse en conséquence. La jonction base-émetteur est définie comme polarisation inverse et la jonction base collecteur fonctionne comme polarisation directe. La région d'appauvrissement de cette zone émetteur-base est plus étroite par rapport à la zone d'appauvrissement de l'intersection collecteur-base. Comme la jonction est polarisée en inverse (émetteur), les trous s'écoulent de l'alimentation à la jonction N. Ensuite, l'électron se déplace vers le côté p. Ici, la neutralisation de certains électrons se produit. Le reste des électrons se déplace vers le côté n. La chute de tension par rapport à l'émetteur et à la base est V BE comme côté entrée. Dans les émetteurs de type N, le porteur de charge est principalement constitué d'électrons. Par conséquent, les électrons sont transportés par des émetteurs de type N vers une base de type P. Un courant sera transporté par la jonction émetteur-base ou EB.
Transistor Npn De Puissance Avec
Comparaison être les transistors bipolaires et à effet de champs
Transistors_bipolaires transistors_à effet de champs
Contrôle par courant. Contrôle en tension. En commutation, résistance série faible si Ic important
Résistances Ron faible (plus forte que le Transistors_bipolaires mais moins dépendante du courant). Tension d'early Ic = f(Vbe) non plat dans
la zone linéaire. Effet Early existant mais moins marqué que Transistors bipolaires
Impédance d'entrée faible (vue de la base)
Impédance d'entrée très forte (vue de la grille)
Consommation de courant en régime tout ou rien
Pas de consommation en dehors de
transitions en régime tout ou rien. Tension de seuil très reproductible en
composant discret Vbe = f(Ic, b)
Peu de reproductibilité en composant discrets
Vgsth =f(Vds, Id) varie d'un rapport deux. β
défini par son minimum. Plan du cours sur les transistors
1. Les amplificateurs
2. Les transistors Bipolaires
2. 1 Définition
2. La commutation
2. 3 L'amplification
3. Les transistors à effet de champs
3.
Transistor Npn De Puissance Et
Le tout étant commandé par un microcontrôleur, j'ajoute un NPN (type BC547) pour piloter la base du transistor de puissance. J'obtiens donc ce schéma (la résistance R au collecteur du 1er transistor est reliée +5V): Capture d'écran 2012-08-04 à
Vbe(BD241) = 1. 8V
Vce(BC547) = 0. 6V
Ur = 5 - 0. 6 - 1. 8 = 2. 6V
Donc R = Ur/Ir = 2. 6 / 0. 143 = 18Ohms
(avec une puissance de 18 x 0. 143^2 = 0. 37W, soit une résistance 1/2W)
Ainsi normalement, quelle que soit la charge, je devrais retrouver un courant de 2A maximum à travers elle (en théorie). La charge étant de type résistive, il en résultera une certaine tension Vce au niveau du transistor de puissance (U - Rcharge * 2A)
Avant tout test, je souhaiterais votre avis quant au fonctionnement de ce circuit, car je connais très peu la réaction des transistors en mode "non-saturés". Merci beaucoup! Thomas
-----
Dernière modification par thomasalbert1993; 04/08/2012 à 13h14. Aujourd'hui 04/08/2012, 13h18
#2
Re: Transistor de puissance avec limitation de courant
Sans voir tes pièces jointes...
Va voir chez les grands, ST, Onsemi (à moins que ce ne soit Freescale, je les confonds toujours)
Pas de complexes: je suis comme toi. Juste mieux. 06/08/2012, 23h37
#14
Ce genre de composants? J'en trouve très peu en "low side" avec limitation de courant (et non shutdown), et surtout, celle-ci n'est vraiment pas précise (dans cet exemple, la limitation opère entre 1, 7A et 3, 5A, mais j'en ai trouvé certains entre 5 et 15A par exemple... )
Est-ce une généralité sur ce type de composants? Ou bien en existe-t-il des plus précis (voire "programmables"? ) Merci!! 06/08/2012, 23h56
#15
Autant pour moi, ce composant a l'air de tout à fait convenir pour mon utilisation... Reste à calculer la puissance dissipée si les 2 mosfets sont actifs à pleine charge (2A)...! Sachant qu'ils ne sont pas actifs + de 100ms (peut-être même beaucoup moins, de l'ordre de 10ms), il n'y a aucun risque à utiliser ce composant en SOIC8 pour passer 2A par mosfet? 07/08/2012, 07h39
#16
Envoyé par thomasalbert1993 Sachant qu'ils ne sont pas actifs + de 100ms (peut-être même beaucoup moins, de l'ordre de 10ms), il n'y a aucun risque à utiliser ce composant en SOIC8 pour passer 2A par mosfet?
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